Эмаль BICOAT Polyur 501 RAL 7032 (полуглянцевая)

Применяется в качестве покрывной эмали по грунтовкам и грунт-эмалям BICOAT для защиты:

•             Несущих и ограждающих конструкций зданий и сооружений

•             Мостовых конструкций, эстакад, трубопроводов

•             Опор линий электропередач

•             Буровых установок и другого оборудования нефтегазового комплекса

•             Оборудование горнодобывающей промышленности

•             Различных конструкций, эксплуатирующихся в условиях промышленной атмосферы

Подготовка поверхности

•             Загрунтованную поверхность очистить от загрязнений и пыли

•             Обезжирить (при необходимости)

Условия нанесения

•             Температура нанесения от 5 ˚C до 35 ˚C

•             Относительная влажность не более 85 %, отсутствие осадков

•             Температура поверхности должна быть выше точки росы воздуха не менее чем на  3 ˚C

Рекомендации по нанесению

 Безвоздушное распыление - Диаметр сопла 0,013-0,019” (0,33-0,46 мм)

Давление 12-22 МПа (120-220 бар). Разбавление растворителем Bi-Solv 1202 до 10 % от массы;

Пневматическое распыление  - Диаметр сопла 1,5-2,2 мм. Давление 0,2-0,4 МПа (2-4 бар). Разбавление растворителем Bi-Solv 1202 до 10 % от массы;

Кисть, валик - Разбавление растворителем Bi-Solv 1202 до 10 % от массы;

Очистка инструмента - Bi-Solv 1202, Bi-Solv 1203, ортоксилол, толуол, Р-4

Сушка покрытия

Эмаль рекомендуется наносить в 1-2 слоя. Рекомендуемое время выдержки между слоями при температуре 20 C составляет 8 ч, допускается нанесение последующего слоя методом «мокрый по мокрому» либо после высыхания «на отлип». Выдержка покрытия до кантования и транспортировки 24 часа при температуре 20 C, до начала эксплуатации в агрессивных средах – не менее 7 суток

Свидетельство о государственной регистрации RU.23.KK.08.015.E.001146.09.16 от 12.09.2016 г.

Сертификат соответствия № РОСС RU.HA27.H00654.

Транспортное строительство: СТО -01393674-008-2021 (АО ЦНИИС), СТО-01393674-007-2019 (АО ЦНИИС).

Одобрено испытательным центром ЦНИИС.